为了提高芯片生产工艺和一小时单位产能（WPH），一家晶圆厂（FAB）在一条先进的半导体生产线上一般配备二十台左右的光刻机，并且是高低搭配，除了最下面的晶体管层需要最先进的光刻机之外，上面做铜互联技术的无需最先进的光刻机。
半导体生产线中，硅片的清洗、氧化加膜、清洗、涂胶、烘干、光刻、显影洗胶、刻蚀、去胶、离子注入与扩散、清洗、薄膜、化学机械研磨等，工艺复杂，工序较多，其中部分工序循环进行数十次，除了占到半导体生产线成本三分之一的光刻机外，还需要清洗设备、高温/氧化炉管退火设备、匀胶机、烘干设备、显影设备、刻蚀机、去胶机、离子注入设备、CVD/PVD/ALD/PECVD/CMP等大批高精尖设备，数量最多的是沉积设备（包括PVD CVD）、刻蚀设备（ICP、CCP、DIE）和热处理设备（RTP）。
东芝半导体设备公司生产的半导体生产线有七成的高端设备从其他厂家定购，然后系统集成。
光刻定义了晶体管尺寸，光刻工艺是 IC 制造中最关键、最复杂和占用时间比最大的步骤，是IC 生产中的最核心工艺，占晶圆制造耗时的50%左右。
半导体工序流程与技术复杂，缩减IC尺寸需要行业整体投入。
八五年，机电部第45所研制成功BG-101分步光刻机，主要性能指标接近或达到GCA公司4800DSW系统的水平；中K院沪海光学精密机械研究所同年研制成功的“扫描式投影光刻机”通过鉴定，认为达到GCA公司4800DSW的水平，为我国大规模集成电路专用设备填补了一项空白。
八十年代中后期，国内企业开始大规模引进外资，成立半导体合资公司，有了“造不如买，买不如租”的思想，光刻技术和产业化，停滞不前。
半导体产业链是一个庞大而复杂的系统化工程，需要综合国力和科技水平作为基础，还会经常遭到以美国为首的西方国家制裁，前世，举国之力都没有赶上美国和日本，还落在韩国的后面。